二极管和晶体管的区别

二极管而且晶体管被认为是电子设备和电路的骨干。但这些电子领域的关键设备之间的相似之处到此为止。二极管和晶体管的主要区别是二极管是二极管两个终端只允许电流沿一个方向从阳极流到阴极的装置。

相反，a晶体管是一个三端装置电流从高阻区来低阻力区。晶体管这个词本身就表达了它的功能，晶体管这个词是由两个词组成的，转移而且电阻器．因此，它被认为是一种将电阻从一个区域转移到另一个区域的装置。

有一些因素区分这两种设备，如耗尽区域，应用等。我们将借助对比图表来讨论所有这些因素。

内容:二极管Vs晶体管

1. 比较图
2. 欧宝体育在线入口
3. 关键的不同点
4. 结论

比较图

参数	二极管	晶体管
欧宝体育在线入口	二极管是一个两端器件，只允许电流在一个方向上通过。	晶体管是一种三端器件，它允许电流从高阻区流向低阻区
形成	它是由p型半导体和n型半导体连接而成。	它是在两端的两个n型或p型材料之间夹一层p型或n型材料形成的。
电路符号
耗尽层	只形成一个损耗区。	形成两个损耗区。
结点数量	p型和n型半导体之间只有一个结。	形成两个结，一个在发射极和基极之间，另一个在基极和集电极之间。
终端	二极管中有2个端子，即阳极和阴极。	晶体管中有3个终端，即发射极、基极和集电极。
认为是	它可以被认为是一个开关。	它可以被认为是一个开关或放大器。
应用程序	整流器、双电压、剪线器等。	放大器，振荡器等。

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二极管

二极管由两个半导体样品组合而成，其中一个是半导体样品p型半导体另一个是n型半导体。通过连接这两个半导体而形成的结称为PN结。的耗尽层是由于两个区域的载流子浓度不同而形成的。

p型半导体以空穴为多数载流子，n型半导体以电子为多数载流子。现在，PN结的行为将是不同的无偏模式和有偏模式。

让我们讨论一下公正的模式第一。在无偏态下，来自n区的电子和来自p区的空穴由于浓度梯度会向结移动。当不再有载流子通过结扩散时，将达到一个阶段。这个阶段叫做饱和阶段。

在此之后，电子和已到达结的空穴将重新结合。因此，进一步的大多数承运人的行动将受到限制。这样形成的区域称为损耗层。它会产生一个内部电场。

现在我们来看有偏见的模式，当施加偏置时，即p型与正极连接，n型与负极连接。正向电流将开始从阳极流向阴极。损耗区宽度随正偏增大而减小。

同样，在反向偏置模式下，损耗层宽度随着反向偏置条件的增大而增大。在二极管中流动的电流是由于少数载流子造成的。这叫做反向饱和电流因为在一个特定的反向电压后它就饱和了。然后它不再随着反向电压的增加而进一步增加。

逆电流只随电流的增大而增大温度。

晶体管

晶体管是三端器件，由三个区域和两个结组成。这些区域是发射器，基地而且收集器．这两个连接是基极发射极结而且基极集电极结。

这些区域有不同的特征，大小也各不相同。发射极高度掺杂，因此可以产生更多的载流子;碱基被轻度掺杂，因此只有少数载流子会在那里重新结合，而集电极被适度掺杂。

集电极的尺寸大于发射极和集电极，而基极的尺寸在三个区域中最小。集电极和基极之间损耗层的宽度大于基极-发射极结的宽度。

发射极和基极以正向偏置方式连接到电池，而集电极和基极以反向偏置方式连接到电池。因此，大多数载流子将从发射极流向基极，然后从基极流向集电极。集热器的尺寸越大，收集的载流子就越多，散热也就越容易。

结论

二极管为两端单向器件，晶体管为三端器件，通过基极将电流从高阻区传递到低阻区。二极管在各种电子应用中使用，如整流器、剪切器、夹钳器、电压倍增器、开关等。二极管起开关的作用。正向偏置时为ON，反向偏置时为OFF。

晶体管既可作开关，又可作放大器。该应用创造了二极管和晶体管之间的主要区别。二极管有各种类型，如齐纳二极管,销二极管,光电二极管，发光二极管而晶体管主要有两种类型双极型晶体管而且场效应晶体管。