可控硅和闸流管之间的差异(与比较图表)-电子教练ob欧宝体育注册

两者的主要区别晶闸管而且闸流管那是晶闸管吗电流控制装置而闸流管是电压控制装置。闸流管是一个充满气体的大管汞，氙，氢等等，由于这些气体的电离，导电增加。晶闸管是半导体器件，闸流管是电压控制器件。

虽然闸流管和闸流管都是三个终端器件，但是闸流管和闸流管的栅极结构是不同的，因为一个是电流控制的半导体器件，而另一个是非半导体电压控制器件。

另一个重要的区别是晶闸管而且闸流管本文借助对比图进行了描述。

内容:晶闸管Vs闸流管

比较图

参数	闸流管	晶闸管
欧宝体育在线入口	它是一种电压控制的非半导体器件，用于电子电路中的整流和开关。	它是一种电流控制的半导体器件，用于整流或开关。
重量	很重，需要更多空间。	重量轻，占用空间少。
可靠性	不可靠	更可靠的
内部损失	内部损失更多	内部损失少
设备寿命	灯丝加热少。	更因为没有灯丝。
电力供应	阳极和阴极之间需要大的电源。	它只需要一个低电源和控制信号来完成操作。
开机和关机时间	更小的开关时间	更高的开关时间
成本	更多的	与闸流管相比成本更低。
精度	精度不如晶闸管。	比闸流管更精确。

闸流管是一种非半导体器件，由一根充满气体的管子组成。它还包括灯丝，栅极和其他两个终端，即阴极和阳极。闸流管是在真空管之后出现的。

闸流管

像真空管一样，闸流管可以在电子电路中提供整流和开关，但它们不能像真空管那样放大信号。此外，闸流管所能处理的功率要比真空管大得多。

在闸流管中表示的点对于确定闸流管中充满气体是有用的。闸流管中使用的气体有汞、氙、氖等。在闸流管传导发生由于电子和这些得到成倍增加，当气体在管中被电离。

这样，闸流管就可以帮助实现整流和开关任务。闸流管除了功率处理能力大外，还存在设备体积大、可靠性差等缺点。由于闸流管的种种缺陷，产生了闸流管。

晶闸管是一种四层半导体器件，由以另一种方式排列的四层p型和n型材料组合而成。晶闸管的控制端称为栅极端。通过这个门终端，提供给晶闸管的电流被控制，这决定了晶闸管是开还是关。

晶闸管

晶闸管是一种用于信号整流以及信号开关的装置。它不能用来放大信号。晶闸管的四层结构，由于其大电流和额定功率，适合各种高功率应用。此外，在电力电子中使用晶闸管是由于高功率处理能力。

可控硅可以理解为两个相互连接的晶体管，其中一个的集电极连接到另一个的基极上。最初，我们必须给其中一个晶体管供电，一旦它被触发，它就会触发另一个晶体管。

当电压加到栅极端时，栅极端触发电路到导电状态，晶闸管开始整流。

这里的关键是我们可以借助晶体管来理解晶闸管的工作，但晶闸管不能像晶体管那样参与信号的放大。

的效率在区分晶闸管和闸流管方面起着重要作用。晶闸管的效率比闸流管的效率好得多。
的这两种设备的性质是完全不同的，这就造成了闸流管和闸流管之间的关键区别。一个是半导体器件即晶闸管，而另一个是non-semiconductor设备i.e.thyratron。
晶体闸流管是光相对于闸流管的重量。闸流管体积庞大，需要很大的空间。占用较大空间的原因是闸流管经常会遇到逆弧而且闪络．因此，为了防止这种不必要的闪络，它总是保持在大空间。
的成本闸流管比晶闸管要多很多，这是因为晶闸管采用的是大管，而晶闸管采用的是半导体材料。
的频率和大小内部损失还要区分可控硅和可控硅。晶闸管内部损耗较小，而闸流管内部损耗较大。
的闸流管寿命小于晶闸管。这是因为闸流管中使用的灯丝由于加速电子撞击而加热。这就成为其恶化的原因。

晶闸管是半导体电流控制装置而闸流管是非半导体的电压控制装置。晶闸管的层状结构决定了其高可靠性和高额定电流。相反，由于闸流管体积庞大，在当代世界已经过时。