可控硅和晶体管的区别

一个晶闸管是一种半导体器件，具有高额定电压和电流，也具有处理大功率的能力。相反，晶体管不能处理相当于可控硅处理的大功率。此外，晶体管的电流和电压额定值也很低。因此,功率处理能力区分这两个设备。

尽管如此,晶闸管而且晶体管两者都是切换应用程序的关键设备，但由于其特性的差异，它们仍有自己的应用领域。

晶闸管和晶体管在结构上的另一个明显区别是，晶闸管是由四层p型和n型材料以不同的方式排列而成。另一方面，晶体管是由两者中的任意一层夹在中间形成的p型或n型半导体材料之间的层n型和p型材料分别。

现在，你一定对两者之间的区别有了大概的了解晶闸管而且晶体管。但分歧并未就此结束;上面提到的四层器件和三层器件还有很多不同之处。我们将在的帮助下讨论所有这些问题比较图表。

但是，在我沉迷于比较图表之前，让我们快速看一下本文的路线图。

内容:晶闸管Vs晶体管

1. 比较图
2. 欧宝体育在线入口
3. 关键的不同点
4. 结论

比较图

参数	晶闸管	晶体管
欧宝体育在线入口	晶闸管是一种用于整流和开关的四层半导体器件。	晶体管是一种三层半导体器件，主要用于放大和开关。
功率处理能力	与晶体管相比更多。	与晶闸管相比更少。
额定电流电压	高电流和电压额定。	低电流和电压额定
内部损失	比晶体管少。	与晶闸管相比更多。
开机和关机时间	开机和关机需要更多时间。	打开和关闭的时间非常短。
成本	这是昂贵的。	使用多个应用程序很便宜，因此很经济。
重量	它很笨重。	它很轻。
触发程序	它只需要一个脉冲就能把它切换到传导状态。	它需要持续的电流来保持导电状态。
高频应用	不合适的。	合适的
大功率应用	适用于大功率应用。	不适合大功率应用。

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晶体管

一个晶体管半导体器件由发射极、基极和集电极三个终端组成。根据晶体管结的偏置，它可以用作放大器或开关。所述发射极和基端组成发射极基极结而集电极和基极端子构成集电极-基极结。

发射极末端是重掺杂的，因此由大量的载流子组成。这些载流子通过基极区流向集电极，因此电流在晶体管中流动。晶体管有三个工作区域活跃区，饱和区而且截断区域。

晶体管的有源区特性用于微弱信号的放大，而晶体管的饱和区和截止区特性用于开关应用。

晶闸管

一个晶闸管由四层半导体材料。它由三个终端组成阴极、阳极而且门码头。晶闸管的门端作为控制端。可控硅被切换到在国家通过提供初始电流晶体管，然后它将保持在ON状态。

它就像两个晶体管PNP和NPN通过基极集电极连接在一起。PNP的集电极接在NPN的基极上，NPN晶体管切换到ON状态，NPN的集电极接在PNP晶体管的基极上。通过这种方式，两个晶体管将通过初始触发供应给PNP晶体管保持ON。

结论

晶闸管和晶体管都是开关器件，但晶闸管不适合高频应用，晶体管不适合大功率应用。在高频应用中，我们应该使用晶体管，因为它体积小刺激而且让我倒尽胃口。但在大功率应用中应采用可控硅，因为可控硅的载流能力强。

如果你将晶闸管用于高频应用开关呢?这将导致产生的电路效率较差。因此，我们只有在了解它们之间的差异时，才能在适当的应用中利用它们。