欧宝体育在线入口定义:PNP型晶体管是一种三端电流控制器件,它由在两个p型半导体之间夹一层n型材料形成的三个端子组成。它的作用是当前的沉因为所有的发射极电流都流入基极。
PNP晶体管也可以理解为正-负-正晶体管。
在PNP晶体管的导通过程中,大部分载流子是空穴。因此,在集电极处产生的电流是空穴运动的结果。
你一定在想孔的流动是如何导致电路中的电流流动的。您将在我将在本文后面讨论的工作中理解这个概念。在此之前,让我们讨论一下它的构造。
建设
PNP晶体管由三层半导体构成,一层为n型,另两层为p型。这样形成的结构将是PNP晶体管。它将有三个终端,第一个p型半导体称为发射极,另一个p型材料称为集电极。
夹在这两个半导体之间的半导体材料称为基端。PNP晶体管的偏置方式是基极-发射极结正向偏置而集电极结反向偏置。
因此,发射极端连接到电池V的正极上海尔哥哥而晶体管的基端连接到电池V的负极EB。基于集电极的结通过将集电极端子与电池V的负极连接而反向偏置CB基极连接电池V的正极CB。
用于偏置晶体管发射极和基极的电池电压的幅度比用于偏置电池源的集电极基极的电池源要大。
PNP晶体管的工作
PNP晶体管在发射极-基极结正向偏置而集电极-基极结反向偏置时工作。射极端由p型半导体构成,为实现正向偏置,p型端应接正极,n型端应接负极。
同样,为了逆转偏置集极-基结,p型接负极,n型接正极。
施加偏置后,在发射极-基极结处形成的损耗区将变窄,而在集电极-基极结处形成的损耗区将变宽。这是因为发射极-基极结是正向偏压的,而在正向偏压中损耗层是窄的。因此,由于集电极基结的反向偏置,损耗宽度很宽。
有效基宽的概念
空穴是p型半导体的主要载流子,电子是n型电子的主要载流子。发射极区域的空穴会被电池的正极所排斥,并会被n区域的电子所吸引。因此,两个结点之间的有效基宽将会减小。
掺杂的有效性和发射器的大小
我们在以前的文章中已经讨论过,发射极比基极和集电极掺重,而且发射极的面积也大于基极但小于集电极。碱被少量掺杂,所以电子较少。
其结果是,由于电池正极的斥力,这几个电子将与从发射极区域发射出的空穴结合。但由于基底尺寸小,掺杂光小,只有少数空穴能与存在于基底区的电子结合。
大部分未与基端电子结合的电子是剩余的。这些电子将流向集电极。由于它们被连接集电极的电池负极所吸引,它们将进一步向集电极区域的末端移动。
在这种情况下,由于孔的运动,电流在电路中流动。有些空穴也远离基极,构成电路中的基极电流。
在发射极内流动的电流方向是向发射极方向,而在基极和集电极内流动的电流方向是向外的。PNP晶体管的电流方程如下所示。
PNP晶体管的应用
它可以用作开关。该电路通过将分压器电路与PNP晶体管连接而形成。
借助于晶体管作为开关的电路图,你可以更清楚地理解。
留言回复