静态感应晶闸管

欧宝体育在线入口：年代tatic我nductionTh晶闸管一般缩写为西斯自控设备类似于门关断晶闸管．SITH有三个终端，即阴极、阳极和栅极。

它是由一位日本工程师在1960年开发的，并于1988年投入商业使用。日本大学和产业界推动了SITH的商业化应用。

静态感应晶闸管的主要特点是它能在低正向电压下传导大电流，并且能快速关闭。下图为SITH的符号表示:

简介

SITH是一种半导体器件，是静态感应器件家族的一部分，是一种常开器件。我们知道a晶闸管是一种双极器件，有4层和3个终端，提供单向电流流。它被设计成在开状态下导电，在关状态下阻断电流。

晶闸管不是完全控制装置，而是半控制装置。这是因为它通过栅极脉冲的应用进入，但要关闭它，主电源电流必须停止，因为即使在移除栅极脉冲后，设备仍继续导电。因此，为了克服这一问题，引入了GTO，即栅关断晶闸管。GTO是使用负门脉冲来关闭设备的GTO。

快速比较GTO和静态感应晶闸管

静态感应晶闸管是GTO的一个进步，它的工作方式与GTO相似，然而，有一些因素将静态感应晶闸管与栅极关断晶闸管区分开来。这些因素如下:

• SITH是一种显示正常开启配置的设备。
• 它很容易关闭，即具有较低的关断电流增益，通常介于两者之间1来3.．
• SITH表现出较高的传导降值。
• 它表现出较高的开关频率。
• 电压和电流随时间的变化率很高。
• 它提供了更大的安全操作区域。

结构

我们知道晶闸管是具有PNPN层的4层器件，由于SITH属于该家族，因此它是p⁺神经网络⁺二极管，其栅极为p⁺配置隐藏在n层中。

SITH的结构表示几乎与静态感应晶体管相似，而SITH的一个小变化是p⁺阳极侧存在层。与此同时，类似于GTO, n⁺手指在p区弥散⁺阳极层。

静态感应晶闸管的工作

静态感应晶闸管被认为是一种常开器件。在栅极和阴极之间存在零电压时，器件处于开状态。而栅极电压越小，导通性能越好。当关闭设备时，必然需要栅极反向电压。

现在让我们继续分别理解SITH的开启和关闭过程．

刺激机制:考虑如下所示的SITH的简化结构来解释器件的开机过程:

在阳极正向偏置条件下，无论栅极阴极端电压为0，器件都起二极管的作用。基本上，当对阴极施加正电压时，就会产生p⁺n结正向偏置导致负载电流I的流动_一个从阳极到阴极。

因此，据说SITH是一个正常运行的设备。

断开机制:现在，考虑如下所示的SITH结构，以理解设备的关断过程:

在阳极正向偏置条件下，当栅极端相对于阴极反向偏置时，将导致p端损耗层的形成⁺n结。由于这个耗尽层，阳极电流现在停止从阳极和阴极流动。随着栅极端负电位大小的变化，流过器件的阳极电流大小也可以改变。

在静态感应晶闸管的反向偏置条件下，即当阴极为正极时，从阴极到阳极流动的反向电流。这是由于电子流从阳极混合n⁺第n层，沿着p⁺栅极最后经过n后到达阴极⁺地区。这对应于静态感应晶闸管没有反向阻塞能力。

应用程序

这些主要应用于高压直流转换器以及感应加热，高频功率转换，能量加速器和电流源逆变器。