欧宝体育在线入口:年代tatic我nductionTh晶闸管一般缩写为西斯自控设备类似于门关断晶闸管.SITH有三个终端,即阴极、阳极和栅极。
它是由一位日本工程师在1960年开发的,并于1988年投入商业使用。日本大学和产业界推动了SITH的商业化应用。
静态感应晶闸管的主要特点是它能在低正向电压下传导大电流,并且能快速关闭。下图为SITH的符号表示:
简介
SITH是一种半导体器件,是静态感应器件家族的一部分,是一种常开器件。我们知道a晶闸管是一种双极器件,有4层和3个终端,提供单向电流流。它被设计成在开状态下导电,在关状态下阻断电流。
晶闸管不是完全控制装置,而是半控制装置。这是因为它通过栅极脉冲的应用进入,但要关闭它,主电源电流必须停止,因为即使在移除栅极脉冲后,设备仍继续导电。因此,为了克服这一问题,引入了GTO,即栅关断晶闸管。GTO是使用负门脉冲来关闭设备的GTO。
快速比较GTO和静态感应晶闸管
静态感应晶闸管是GTO的一个进步,它的工作方式与GTO相似,然而,有一些因素将静态感应晶闸管与栅极关断晶闸管区分开来。这些因素如下:
- SITH是一种显示正常开启配置的设备。
- 它很容易关闭,即具有较低的关断电流增益,通常介于两者之间1来3..
- SITH表现出较高的传导降值。
- 它表现出较高的开关频率。
- 电压和电流随时间的变化率很高。
- 它提供了更大的安全操作区域。
结构
我们知道晶闸管是具有PNPN层的4层器件,由于SITH属于该家族,因此它是p+神经网络+二极管,其栅极为p+配置隐藏在n层中。
SITH的结构表示几乎与静态感应晶体管相似,而SITH的一个小变化是p+阳极侧存在层。与此同时,类似于GTO, n+手指在p区弥散+阳极层。
静态感应晶闸管的工作
静态感应晶闸管被认为是一种常开器件。在栅极和阴极之间存在零电压时,器件处于开状态。而栅极电压越小,导通性能越好。当关闭设备时,必然需要栅极反向电压。
现在让我们继续分别理解SITH的开启和关闭过程.
刺激机制:考虑如下所示的SITH的简化结构来解释器件的开机过程:
在阳极正向偏置条件下,无论栅极阴极端电压为0,器件都起二极管的作用。基本上,当对阴极施加正电压时,就会产生p+n结正向偏置导致负载电流I的流动一个从阳极到阴极。
因此,据说SITH是一个正常运行的设备。
断开机制:现在,考虑如下所示的SITH结构,以理解设备的关断过程:
在阳极正向偏置条件下,当栅极端相对于阴极反向偏置时,将导致p端损耗层的形成+n结。由于这个耗尽层,阳极电流现在停止从阳极和阴极流动。随着栅极端负电位大小的变化,流过器件的阳极电流大小也可以改变。
在静态感应晶闸管的反向偏置条件下,即当阴极为正极时,从阴极到阳极流动的反向电流。这是由于电子流从阳极混合n+第n层,沿着p+栅极最后经过n后到达阴极+地区。这对应于静态感应晶闸管没有反向阻塞能力。
应用程序
这些主要应用于高压直流转换器以及感应加热,高频功率转换,能量加速器和电流源逆变器。
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